cmp抛光垫(抛光的CMP)

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半导体cmp是什么部门

半导体CMP（化学机械抛光）材料是集成电路制造关键制程材料，制造每片晶圆片，都需历经几道至几十道不等的CMP工艺步骤。CMP材料价值量约占芯片制造成本的7%，其中抛光垫价值量约占CMP耗材的33%。CMP抛光垫具有较高行业壁垒，目前被陶氏、Cabot等海外公司垄断约90%市场

cmp抛光压力对抛光效果有何影响

CMP，即ChemicalMechanicalPolishing，化学机械抛光。CMP技术所采用的设备及消耗品包括：抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。CMP技术的概念是1965年由Monsanto首次提出。

抛光的CMP

CMP，即ChemicalMechanicalPolishing，化学机械抛光。CMP技术所采用的设备及消耗品包括：抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。

CMP技术的概念是1965年由Monsanto首次提出。该技术最初是用于获取高质量的玻璃表面，如军用望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。CMP抛光液是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品，广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。

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