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- 1、氢氧化钾是沉淀吗
- 2、KOH刻蚀的颗粒沉积
1、氢氧化钾是沉淀吗
氢氧化钾不是沉淀，它是强碱，溶于水，与氢氧化钠类似，而氢氧化钠是食盐的一种成分，溶于水。（化学式：KOH，式量：56、11）白色粉末或片状固体。
具强碱性及腐蚀性。极易吸收空气中水分而潮解，吸收二氧化碳而成碳酸钾。溶于约0、6份热水；0、9份冷水；3份乙醇；2、5份甘油。当溶解于水、醇或用酸处理时产生大量热量。
2、KOH刻蚀的颗粒沉积
摘要
本文考虑了铁氧化物颗粒的沉淀与氢氧化钾蚀刻硅片中的空洞的关系。本文中的发现表明颗粒的来源是用于制备蚀刻溶液的氢氧化钾颗粒。实验表明，沉淀与氢氧化钾蚀刻时间无关，但沉积材料的量随掺杂剂类型和掺杂剂浓度而变化。实验还表明，当硅片从氢氧化钾蚀刻溶液中取出时会发生沉淀，而不是在蚀刻过程中。当未被去除时，当稍后处理并暴露于磷酸时，氧化铁颗粒在硅表面上引起蚀刻坑。已经发现，颗粒可以在盐酸溶液中去除，但不能在硫酸-过氧化氢溶液中完全去除。本文从吸附自由能的变化、波尔拜图、电化学双层厚度和硅掺杂剂类型及浓度等方面讨论了有关的沉淀机理。
实验
实验一旨在确定颗粒大小和数量是否随蚀刻时间而增长。实验二旨在给出在不同掺杂剂类型和掺杂剂水平的情况下晶片蚀刻技术方面的附加信息，实验三旨在研究颗粒去除。
在所有的实验中，用低地球轨道1550场发射枪扫描电镜对颗粒的形态、数量和元素组成进行了表征。在实验一和实验二中，用于统计评估的显微照片都是在放大10，000倍并且所讨论的晶片的倾斜角为零的情况下获得的。实验1中给出的数字是每个样品的19个显微照片的结果，这些照片是在每个显微照片之间有5毫米距离的样品上获得的，从平面开始并沿着垂直于平面的轴，如图所示。1a ：在实验二中，所有的扫描电镜图像都是在覆盖整个晶片区域的16个预定等距位置获得的，如图所示。1b：使用能量色散X射线光谱对选定的颗粒进行微量分析。
图1显微镜检查程序示意图。黑点表示在晶片上获得扫描电镜图像的位置
结果
实验一(晶圆型实验)。微量分析显示，所选颗粒含有铁和氧。此外，n型晶片、p型晶片和p11型晶片显示出类似于颗粒覆盖。然而，高掺杂的n型晶片表现出极其不同的行为。在图2中呈现了来自n11晶片的典型SEM图像。使用图2中大约30个粒子链进行现场测试。产生如图9所示的尺寸分布。
实验二。颗粒去除实验显示，食人鱼溶液溶解了大部分颗粒，但留下了什么似乎是颗粒链的痕迹，盐酸溶液很好地溶解了颗粒，使用扫描电镜不可能发现任何颗粒。
图2放大10，000倍的扫描电镜图像，显示n11型硅片上的颗粒沉淀
结论
本文已经研究了与氢氧化钾蚀刻相关的硅晶片上的铁氧颗粒的沉淀，并且已经表明硅晶片的颗粒覆盖量相对于蚀刻时间没有显著变化。沉积材料的量取决于晶片类型，即 n11晶圆的覆盖率至少比所研究的任何其他晶圆类型高16倍。此外，已经发现，对于所有晶片类型，沉淀颗粒具有主要尺寸范围的尺寸分布，并且该尺寸范围对于不同的晶片类型是不同的。实验结果表明，沉淀发生在氢氧化钾蚀刻后，但沉淀的来源是氢氧化钾蚀刻过程中形成的电化学双层。当暴露在磷酸溶液中时，在硅表面上引起腐蚀坑的颗粒可以在稀盐酸溶液中成功去除。
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